11 - Foto Transistör:
 |
Foto transistörün normal transistörden tek farkı, kollektör ile emiter arasından geçen akımı beyz ile değilde, beyz ile kollektörün birleşim yüzeyine düşen mor ötesi ışıkla kontrol ediliyor olmasıdır. Foto transistör devrede genelde beyz ucu boşta olrak kullanılır. Bu durumda üzerine ışık düştüğünde tem iletimde düşmediğinde ise tam yalıtımdadır. Foto transistörün kazancı beta kadar olduğu için foto diyotlardan daha avantajlıdır. Yan tarafta foto transistörün sembolü görülmektedir.
Fototransistör ve Fotodiyotlar
  |
Fototransistörler, elektrik akımını ışık ile kontrol eden devre elemanlarıdır. Genel olarak her türlü transistör, ışığı görecek şekilde şeffaf muhafazalara konulsaydı, fototransistör olarak kullanılabilirdi. Ancak fototransistörlerde bazı etki gözönüne alınarak diğre transistörlerden farklı bir tasarım tekniği kullanılmıştır.
Fototransistörün çalışma prensibi, yarıiletkenler üzerindeki ışık etkisinin bir sonucudur. Gerilim tatbik edilmiş bir yarıiletken üzerine uygun dalga boyunda bir ışık düşürüldüğünde + ve - yüklü tanecikler oluşur ve devre üzerinden akarlar. Bu akma miktarı, uygulanan ışık miktarına bağlıdır. Bu şekilde ışık miktarı ile orantılı bir elektrik akımı doğmuş olur.
 Şekil 12 |
Bir fototransistörde + ve - yüklü tanecikler aslında kollektör - beyz sınırı yakınlarında oluşur. Şekil 12 'de görüldüğü gibi NPN tipi bir transistörde ışık etkisi ile oluşan + tanecikler beyzde toplanırlar. Yani ışık etksiyle beyzde oluşan + tanecikler orada kalırlar, kollektörde oluşanlar ise kuvvetli bir manyetik alan etkisiyle beyze doğru çekilirler. Aynı şekilde ışık etkisiyle oluşan - tanecikler (elektronlar) ise kollektörde toplanırlar. Biriken bu + ve - yüklü tanecikler bir noktada birikmek yerine düzgün bir şekilde dağılmak isterler. Bu yüzden + tanecikler (elektronlar) ise kollektörde toplanırlar. Biriken injekte edilirler. Bu ise emiterden beyze doğru elektron injekte edilmesine yol açar. Emiter injeksiyonu beyz injeksiyonuna nazaran çaok daha fazla olduğu için emitere injekte edilen bir + tanecik, beyze çok sayıda elektron injeksiyonuna sebep olur. İşte bu noktada bilinen transistör çalışma şekli oluşur. Emiterden injekte edilen elektronlar beyze geçerek kollektöre doğru çekilirler. Orada ışık etkisiyle oluşan elektronlarla birleşerek ışıkla oluşmuş elektrik akımını meydana getirirler.
Asıl ışık etkili taneciklerin oluşması kollektör beyz bölgesinde meydana geleceğinden dolayı bu bölge ne kadar büyük olursa, ışık etkisinden dolayı oluşacak elektrik akımı da o ölçüde büyük olacaktır. İşte bu yüzden fototransistörlerin beyz alanı, Şekil 13 'de de görüldüğü gibi gelen ışığa geniş bir yüzey teşkil edecek şekilde tasarımlanmaktadır.
Bir fototransistör iki veya üç bacaklı olabilir. Üç bacaklı olanlarda beyz, bir terminal ile dışarıya verilmiştir. Bu tip fototransistörler, normal bipolar transistörler gibi kullanılabilirler. Işık gören pencere kapatılmaz ise normal transistör çalışması ile beraber ışık etkisi de ilave edilmiş olur. İki bacaklı olanlarda ise beyze bağlı bacak kaldırılmıştır. Bu durumda sadece ışık ile çalışma söz konusudur.
 Şekil 13 |
 |
Bilindiği gibi diyotlar ters yönde (blokaj yönünde) polarlandıklarında µA veya nA seviyesinde kaçak akımlar oluşur. İşte fotodiyotlar, üzerlerine düşen ışık miktarı arttıkça bu kaçak akımların artması prensibine dayanarak yapılmışlardır. Kaçak akımlardaki ışığa bağlı değişim elektronik yükselteç devreleriyle yükseltilerek dedektör olarak kullanılmaktadır.
Mercek Sistemleri
Fototransistör veya fotodiyot (dedektör) ile kullanılacak bir mercek sistemi, dedektörün hassasiyetini büyük ölçüde arttıracaktır. Şekil 14(a) da görüldüğü gibi şiddeti I olan bir nokta kaynağın bir dedektör üzerindeki yoğunluğu,
H = I / d2 'dir. Burada d aradaki mesafedir.
 Şekil 14(a) - 14(b) |
Şekil 14(b) de ise kaynak ve dedektör arasına bir mercek yerleştirimesi halindeki durum görülmektedir. Burada kaynaktan merceğe olan d' mesafesinin, d 'ye eşit olduğu varsayılmıştır. Yani d' 
d dir.
d dir.Eğer dedektör alan olarak yuvarlak ise:
PD = PL = H'
(rL)2 dir.
(rL)2 dir.Burada,
PD : Dedektör üzerine düşen ışık akısı.
PL : Mercek üzerine düşen ışık akısı.
H' : Mercekteki akı yoğunluğu.
rL : Mercek yarıçapıdır.
d' d olduğundan,
Dedektör üzerindeki akı yoğunluğu:
d olduğundan, Dedektör üzerindeki akı yoğunluğu:
HD = PD / AD olup AD = rd2 dir. (AD : Dedektör alanı)
Böylece HD = 1 / d2 (rL / rd)2 olur.
Bu durumda dedektör üzerine mercek ile düşen ışık miktarının mercek yokken düşen miktara oranı,
HD / H = [I/d2(rL/rd)2] / (I/d2) = (rL/rd)2 olur.
Bu formülden da anlaşılacağı gibi eğer mercek yarıçapı dedektör yarıçapından büyük ise, dedektör üzerine düşen ışık miktarı artmaktadır. Mercekteki kayıpları da dikkate alırsak mercekli bir sistemin kazancı R aşağıdaki gibi ifade edilebilir.
R = 0,9 (rL/rd)
Burada dikkat edilecek husus, mercek sisteminin uygun olarak yerleştirilmesidir. Biçimsiz yerleştirilen bir merceğin faydadan çok zararı olmaktadır. Örneğin Şekil 15 'de kendi merceği olan bir fototransistörün önüne diğer bir mercek konulması neticesinde sistemin veriminin bozulması gösterilmiştir.
 Şekil 15 |
Bu sistemin verimli olabilmesi için ışınların fototransistöre paralele olarak gelmesi gerekir. Halbuki konan ikinci mercek, paralel gelen ışınların bu niteliğini yok etmektedir. Şekil 16 'da ise verimli bir mercek sistemi gösterilmiştir. 1. mercek gelen ışınları toplamakta, 2. mercek ise bunları paralele ışınlar haline çevirmektedir. Böylece dedektörün yüzey alanı, 1. merceğin yüzey alanına eşdeğer olmaktadır.
Şekil 16
Hiç yorum yok:
Yorum Gönder